手機(jī)或汽車發(fā)熱別浪費(fèi),專家利用新元件把熱換成電
自各種電子設(shè)備產(chǎn)生的熱,終有一天能轉(zhuǎn)化成可用的新燃料來源?華盛頓州立大學(xué)物理學(xué)家 Yi Gu 團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種稱為“范德華氏肖特基二極體”(van der Waals Schottky diode)的新二極體,由多層復(fù)合材料組成,具有顯著增強(qiáng)的熱電性能。研究人員認(rèn)為,這種新的二極體在未來或許可為智能手機(jī)或汽車等產(chǎn)品提供革命性的電力來源。
二極體(Diode)是一種具不對稱電導(dǎo)的雙電極電子元件,而肖特基二極體是一種導(dǎo)通電壓降(電路中的專有名詞)較低、允許高速切換的二極體,一般二極體在電流流過時(shí),會產(chǎn)生約 0.7~1.7 伏特的電壓降,不過肖特基二極體的電壓降只有 0.15~0.45 伏特,因此可以提升系統(tǒng)效率。
Yi Gu 表示,和其他電子設(shè)備中的散裝材料相比,新開發(fā)的“范德華氏肖特基二極體”將熱量轉(zhuǎn)換成電能的效率更高,已經(jīng)證明是使用矽為半導(dǎo)體材料的 3 倍。將來,二極體的一側(cè)可以連接發(fā)熱端,比如汽車排氣孔或電腦散熱器,另一側(cè)附著室溫表面,然后二極體會利用兩端的熱差產(chǎn)生電流并儲存到電池。雖然這種設(shè)備還在早期發(fā)展階段,但最終將可為智能手機(jī)甚至汽車的各種功能提供額外電源。
在電子工業(yè)中,二極體因?yàn)轫樝蛄魍?、逆向阻斷的特點(diǎn),類似控水閥門引導(dǎo)水流通過的原理,可以想成電子版的止水閥。目前,肖特基二極體元件的接合結(jié)構(gòu)為金屬(鋁或銅)和半導(dǎo)體(以硅為材料)接面,以產(chǎn)生整流效果,而研究團(tuán)隊(duì)打破“金屬-半導(dǎo)體”這種傳統(tǒng),改成用多層微觀結(jié)晶“銦硒”(Indium Selenide)替代,使用簡單的加熱程序讓銦硒的一層做金屬、另一層為半導(dǎo)體。
實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),與常規(guī)的肖特基二極體不同,新設(shè)計(jì)的二極體其接合界面幾乎沒產(chǎn)生雜質(zhì)或缺陷,金屬和半導(dǎo)體間連接平滑,使電能幾乎以 100% 的效率輕松流動。研究合著者 Matthew McClusky 說,一般而言,將金屬連接到像矽這樣的半導(dǎo)體材料形成肖特基二極體時(shí),最大的缺點(diǎn)是逆向偏壓較低且逆向漏電流偏大,接合面的缺陷會妨礙電能流動,但范德華氏肖特基二極體完美彌補(bǔ)了這種缺陷。
肖特基二極體主要應(yīng)用在快速數(shù)位設(shè)備,如智能手機(jī)、筆記本電腦、液晶或等離子電視機(jī)內(nèi)的開關(guān)式電源等,雖然這種熱能設(shè)備轉(zhuǎn)換無法與太陽能或風(fēng)能相提并論,但或許可以在手機(jī)和汽車產(chǎn)品的供電來源方面異軍突起。這項(xiàng)研究已發(fā)布在《物理化學(xué)雜志》。
2017-09-14 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
文章關(guān)鍵詞: 韋爾半導(dǎo)體 香港華清電子(集團(tuán))有限公司 范德華氏肖特基二極體
二極體(Diode)是一種具不對稱電導(dǎo)的雙電極電子元件,而肖特基二極體是一種導(dǎo)通電壓降(電路中的專有名詞)較低、允許高速切換的二極體,一般二極體在電流流過時(shí),會產(chǎn)生約 0.7~1.7 伏特的電壓降,不過肖特基二極體的電壓降只有 0.15~0.45 伏特,因此可以提升系統(tǒng)效率。
Yi Gu 表示,和其他電子設(shè)備中的散裝材料相比,新開發(fā)的“范德華氏肖特基二極體”將熱量轉(zhuǎn)換成電能的效率更高,已經(jīng)證明是使用矽為半導(dǎo)體材料的 3 倍。將來,二極體的一側(cè)可以連接發(fā)熱端,比如汽車排氣孔或電腦散熱器,另一側(cè)附著室溫表面,然后二極體會利用兩端的熱差產(chǎn)生電流并儲存到電池。雖然這種設(shè)備還在早期發(fā)展階段,但最終將可為智能手機(jī)甚至汽車的各種功能提供額外電源。
在電子工業(yè)中,二極體因?yàn)轫樝蛄魍?、逆向阻斷的特點(diǎn),類似控水閥門引導(dǎo)水流通過的原理,可以想成電子版的止水閥。目前,肖特基二極體元件的接合結(jié)構(gòu)為金屬(鋁或銅)和半導(dǎo)體(以硅為材料)接面,以產(chǎn)生整流效果,而研究團(tuán)隊(duì)打破“金屬-半導(dǎo)體”這種傳統(tǒng),改成用多層微觀結(jié)晶“銦硒”(Indium Selenide)替代,使用簡單的加熱程序讓銦硒的一層做金屬、另一層為半導(dǎo)體。
實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),與常規(guī)的肖特基二極體不同,新設(shè)計(jì)的二極體其接合界面幾乎沒產(chǎn)生雜質(zhì)或缺陷,金屬和半導(dǎo)體間連接平滑,使電能幾乎以 100% 的效率輕松流動。研究合著者 Matthew McClusky 說,一般而言,將金屬連接到像矽這樣的半導(dǎo)體材料形成肖特基二極體時(shí),最大的缺點(diǎn)是逆向偏壓較低且逆向漏電流偏大,接合面的缺陷會妨礙電能流動,但范德華氏肖特基二極體完美彌補(bǔ)了這種缺陷。
肖特基二極體主要應(yīng)用在快速數(shù)位設(shè)備,如智能手機(jī)、筆記本電腦、液晶或等離子電視機(jī)內(nèi)的開關(guān)式電源等,雖然這種熱能設(shè)備轉(zhuǎn)換無法與太陽能或風(fēng)能相提并論,但或許可以在手機(jī)和汽車產(chǎn)品的供電來源方面異軍突起。這項(xiàng)研究已發(fā)布在《物理化學(xué)雜志》。
2017-09-14 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
文章關(guān)鍵詞: 韋爾半導(dǎo)體 香港華清電子(集團(tuán))有限公司 范德華氏肖特基二極體