亮點(diǎn)：

? 針對(duì)臺(tái)積公司7納米制程，新思科技已成功完成DesignWare 介面PHY IP的投片(tapeout)，包括USB 3.1/2.0、DisplayPort 1.4、PCI Express 4.0/3.1、 DDR4、MIPI D-PHY、以太網(wǎng)絡(luò)及 SATA 6G；另外，LPDDR4x、HBM2 和MIPI M-PHY的投片也正進(jìn)行中
 
? 針對(duì)臺(tái)積公司7納米制程所進(jìn)行的DesignWare基礎(chǔ)IP投片，內(nèi)容包含邏輯庫(kù)、嵌入式記憶體及高效核心(High-Performance Core，HPC)設(shè)計(jì)套件
 
? STAR記憶體系統(tǒng)解決方案讓7納米記憶體的測(cè)試與修復(fù)更有效率，而STAR階層系統(tǒng)(Hierarchical System)可自動(dòng)進(jìn)行SoC層級(jí)測(cè)試

新思科技今日宣布針對(duì)臺(tái)積公司7納米制程技術(shù)，已成功完成DesignWare®基礎(chǔ)及介面PHY IP組合的投片，其中包括邏輯庫(kù)、嵌入式記憶體、嵌入式測(cè)試及修復(fù)、USB 3.1/2.0、USB-C 3.1/DisplayPort 1.4、DDR4/3、MIPI D-PHY、PCI Express® 4.0/3.1、以太網(wǎng)絡(luò)及SATA 6G。其他DesignWare IP，包括LPDDR4x、HBM2和MIPI M-PHY，預(yù)計(jì)于2017年完成投片。與16FF+制程相比，臺(tái)積公司7納米制程能讓設(shè)計(jì)人員降低功耗達(dá)60%或提升35%的效能。通過(guò)提供針對(duì)臺(tái)積公司最新7納米制程的IP組合，新思科技協(xié)助設(shè)計(jì)人員達(dá)到移動(dòng)、車用及高效能運(yùn)算應(yīng)用在功耗及效能上的要求。
 
臺(tái)積公司設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)行銷事業(yè)部資深協(xié)理Suk Lee表示：「過(guò)去十多年來(lái)，新思科技一直與臺(tái)積公司保持密切合作，針對(duì)臺(tái)積公司不同階段制程開(kāi)發(fā)出高品質(zhì)IP。針對(duì)臺(tái)積公司7納米制程，新思科技成功完成DesignWare 基礎(chǔ)及介面IP組合的投片，顯示新思科技在IP領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，其所開(kāi)發(fā)的IP能協(xié)助雙方客戶透過(guò)臺(tái)積公司制程技術(shù)，達(dá)到在功耗、效能和晶片面積等方面的提升?！?br />  
新思科技IP暨原型建造行銷副總裁John Koeter指出：「身為實(shí)體IP領(lǐng)導(dǎo)廠商，新思科技成功地在FinFET制程完成超過(guò)100次投片。我們致力于投資開(kāi)發(fā)應(yīng)用于最先進(jìn)制程的IP，協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)必要功能并設(shè)計(jì)出具市場(chǎng)區(qū)隔的SoC。針對(duì)臺(tái)積公司7納米制程，我們成功完成DesignWare 基礎(chǔ)及介面IP組合的投片，讓設(shè)計(jì)人員有信心在整合IP與SoC時(shí)能大幅降低風(fēng)險(xiǎn)，并加速專案時(shí)程（項(xiàng)目進(jìn)度？）?！?br />  
上市時(shí)程
 
用于臺(tái)積公司7納米制程的DesignWare 基礎(chǔ)及介面IP組合已經(jīng)上市；STAR 記憶體系統(tǒng)解決方案已可用于所有臺(tái)積公司制程技術(shù)。

2017-09-15  來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察

文章關(guān)鍵詞： 韋爾半導(dǎo)體 香港華清電子(集團(tuán))有限公司 Synopsys 7納米FinFET