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技術(shù)牛人的加入,中國芯片制造可望取得突破

中國最大的芯片代工廠中芯國際近日宣布臺積電前研發(fā)資深處長梁孟松將擔(dān)任其共同CEO,這對于中國的芯片制造業(yè)來說可謂是一個重大的利好消息,這將有助于中國迅速縮短與三星和臺積電的差距。


梁孟松是臺積電的技術(shù)研發(fā)大將,2003年臺積電以自主技術(shù)擊敗IBM揚名全球的130nm“銅工藝”,被認(rèn)為梁孟松的功勞僅次于資深研發(fā)副總蔣尚義,可見梁孟松對臺積電的重要性。隨后他在臺積電的工藝演進(jìn)中繼續(xù)擔(dān)任重要角色,更是FinFET工藝的重要負(fù)責(zé)人。

梁孟松是臺積電的技術(shù)研發(fā)大將,2003年臺積電以自主技術(shù)擊敗IBM揚名全球的130nm“銅工藝”,被認(rèn)為梁孟松的功勞僅次于資深研發(fā)副總蔣尚義,可見梁孟松對臺積電的重要性。隨后他在臺積電的工藝演進(jìn)中繼續(xù)擔(dān)任重要角色,更是FinFET工藝的重要負(fù)責(zé)人。

梁孟松出走三星后,三星從28nm跳躍至14nmFinFET,并先于臺積電的16nmFinFET約半年時間量產(chǎn),并在隨后的10nm工藝上再次領(lǐng)先臺積電量產(chǎn),據(jù)說他還參與三星的7nm工藝研發(fā),三星方面已確定明年下半年量產(chǎn)引入EUV技術(shù)的7nm工藝,而臺積電明年量產(chǎn)的7nm工藝未加入EUV技術(shù)要到后年才能加入該技術(shù),這意味著三星將再次在7nm工藝上領(lǐng)先臺積電。

由此可見梁孟松在芯片制造工藝研發(fā)上所擁有的強大實力,也因此當(dāng)外界傳聞他將加入中芯國際后各方均極為矚目,如今該消息坐實并且他將擔(dān)任中芯國際的共同CEO,也可見中芯國際對他的重視。

除了梁孟松外,同樣為臺積電的芯片制造工藝做出重要貢獻(xiàn)的蔣尚義也已加入中芯國際并擔(dān)任獨立董事,兩位臺積電前重要技術(shù)專家的加入,讓中國業(yè)界對中芯國際在先進(jìn)工藝研發(fā)上取得突破抱有期待。

中芯國際已投產(chǎn)28nm工藝,目前正在研發(fā)14nmFinFET并預(yù)期明年試產(chǎn),梁孟松和蔣尚義的加入或許有助于中芯國際的14nmFinFET如期投產(chǎn),應(yīng)對臺積電在中國大陸建設(shè)的南京工廠帶來的挑戰(zhàn)。

臺積電面對中國大陸迅速發(fā)展的芯片產(chǎn)業(yè)當(dāng)然心動,此前它已有上海松江廠,不過松江廠主要生產(chǎn)8寸晶圓無法滿足大陸芯片企業(yè)的需求,南京廠則生產(chǎn)12寸晶圓并且將引入16nmFinFET工藝,這對中芯國際來說是非常大的挑戰(zhàn),迫使中芯國際需要及時投產(chǎn)14nmFinFET工藝予以應(yīng)對。

梁孟松的加入還將有助于中芯國際研發(fā)更先進(jìn)的10nm甚至7nm工藝,從梁孟松加入三星之后幫助它在14nmFinFET、10nm、7nm工藝的研發(fā)可知他的實力,而中芯國際任命他擔(dān)任共同CEO很可能會委任他負(fù)責(zé)工藝研發(fā)工作,再加上大陸集成電路產(chǎn)業(yè)基金的支持,中芯國際在先進(jìn)工藝上預(yù)計將迅速取得突破。

中國的芯片設(shè)計企業(yè)已取得許多優(yōu)異的成績,手機芯片行業(yè)成長起了華為海思、展訊等芯片設(shè)計企業(yè),平板芯片企業(yè)則有瑞芯微,穿戴設(shè)備有君正,唯獨在芯片制造方面稍微落后,中芯國際作為中國大陸最大的芯片制造企業(yè)承擔(dān)了推進(jìn)先進(jìn)工藝研發(fā)的重任,如它在先進(jìn)工藝方面取得突破,中國芯片產(chǎn)業(yè)整體將會同步前進(jìn),也將有助于中國制造向中國創(chuàng)造轉(zhuǎn)型。
 
2017-10-18  來源:和訊名家

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