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新型半導體芯片材料將引領產業(yè)發(fā)展
據美國科學學術網3日報道，美國密歇根理工大學胡云行教授團隊使用輝鉬制成了輝鉬基柔性憶阻器，可以用其制造低功耗的超高速存儲與計算芯片?？茖W學術網認為，這一發(fā)明將讓半導體芯片世界從“硅時代”跨越到“輝鉬時代”。該項成果刊登在了上月出版的《Nano Letters》期刊。
憶阻器是目前世界發(fā)達國家、行業(yè)巨頭不惜血本研發(fā)的基本電路元件。目前的計算機芯片主要通過硅晶體管來傳輸電子數據。如果信息流中斷，則所有信息就會丟失。而憶阻器則是一種“有內存的電子設備”，可以在電子數據流經過時保留其數據，即使遭遇突然斷電，也能將先前的數據迅速恢復。胡云行教授表示，輝鉬憶阻器可以被用來制造擁有更快運算速度與更小功耗的超高速芯片。通俗來說，現(xiàn)有的硅晶體管、互聯(lián)網乃至整個計算機世界，是由二進制數據0與1來儲存、運輸以及運行數據，而憶阻器將與人類大腦相似，可以使用任意數字來表達數據，它的出現(xiàn)將掀起一場計算機革命，同時給人類提供創(chuàng)建人工智能的機會。
不同于擁有固定電阻的電阻器，憶阻器具有壓敏電阻，必須有一個電阻根據電壓情況進行可逆地改變。胡云行教授的團隊使用了輝鉬納米片成功制成了憶阻器。與硅相比，輝鉬的優(yōu)勢之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而硅是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運動和在兩納米厚的硅薄膜上一樣容易。而單層輝鉬制造間帶通道場效應的晶體管，在穩(wěn)定狀態(tài)下耗能更是比傳統(tǒng)硅晶體管小10萬倍。
另外，2012年，美國電氣和電子工程協(xié)會邀約3位國際知名學者共同撰寫了一篇《超越摩爾》，其中專章講述了憶阻器。這種基礎元器件將從根本上顛覆現(xiàn)有的硅芯片產業(yè)。憶阻器可讓手機在使用數周或更久時間后無需充電，也可使筆記本電腦在電池電量耗盡后仍能保存信息。憶阻器也有望挑戰(zhàn)數碼設備中普遍使用的閃存，因為它具有關閉電源后仍可以保存信息的能力。輝鉬憶阻器的出現(xiàn)將對現(xiàn)有的硅芯片發(fā)展帶來全新的升級挑戰(zhàn)。
2017-11-30 來源：好買網基金
文章關鍵詞： 韋爾股份 香港華清電子(集團)有限公司 憶阻器
