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經(jīng)過50年的發(fā)展，半導(dǎo)體市場仍然顯得非?；钴S，它在今年有望增長20%。隨著高增長而來的是供應(yīng)短缺，這就是DRAM和閃存價格為什么今年會上漲的原因。

三星想壟斷

三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山。它計劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍，提高至260億美元。相對而言，英特爾在2017年的資本支出預(yù)算僅為120億美元，較2016年增長了25%。事實上，三星的預(yù)算約為2017年三家大公司英特爾、臺積電和SK海力士的資本支出預(yù)算的總和。

三星的主要競爭對手現(xiàn)在面臨著一個艱難的抉擇。它們要么提高資本支出預(yù)算，保障足夠的供應(yīng)量，從而保有自己的市場份額，要么干脆放棄競爭，因為三星更高的產(chǎn)能將會產(chǎn)生別人難以企及的規(guī)模經(jīng)濟效應(yīng)。

任何想要追趕三星的公司都面臨著整個行業(yè)供給過剩、價格下滑以及虧損擴大的問題。半導(dǎo)體工廠必須全負荷運行，才能維持最低的成本，只要價格能夠支付各種可變開支和固定成本，那就值得繼續(xù)維持工廠運轉(zhuǎn)。

但是，如果它們不增加預(yù)算，提高產(chǎn)能，那么它們就可能面臨市場份額萎縮、成本增加并最終被淘汰出局的后果。不要指望英特爾和鎂光的合資企業(yè)能夠?qū)谷?。英特爾幾十年前就退出了DRAM業(yè)務(wù)。

英特爾和鎂光依靠其3D XPoint NVRAM（非易失性閃存）可能能夠在DRAM和閃存市場上占有一席之地。但是，這一希望注定落空，因為它們決定將3D XPoint捆綁到英特爾CPU上。此外，三星可以從Crossbar或Nantero公司那里購買或獲得授權(quán)使用與NVRAM競爭的技術(shù)。

對于消費者來說，一個利好的消息是：在未來12-18個月內(nèi)，我們應(yīng)該會看到更便宜的DRAM和NAND閃存出現(xiàn)。但是，從長遠來看，我們可能會看到三星壟斷DRAM和NAND閃存生產(chǎn)，減緩價格下降速度以及遏制競爭。

難以達到預(yù)期

三星在SSD閃存和DRAM內(nèi)存行業(yè)均居于全球領(lǐng)導(dǎo)地位，日前消息指它計劃將明年的資本支出提高到今年的1.5倍，在資本支出方面創(chuàng)下新記錄，這當(dāng)然是擴張其包括存儲芯片在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務(wù)的產(chǎn)能，在存儲芯片方面它似乎正感受到中國存儲芯片企業(yè)即將在2019年正式投產(chǎn)帶來的壓力。

在DRAM內(nèi)存市場，三星占有46%的市場，而在SSD閃存市場它則占有近四成的市場份額，在這樣的情況下它依然猛烈增加資本支出，目標當(dāng)然不會僅僅是跟隨其后的SK海力士、東芝、美光等企業(yè)。

當(dāng)下東芝存儲器剛決定賣給以貝恩資本為首的財團，它需要時間進行整合；美光在競爭中已處于不利地位，它寄望與Intel合作開發(fā)的3DXPoint等技術(shù)，但是Intel方面似乎有意獨自發(fā)展存儲芯片業(yè)務(wù)以及將內(nèi)存整合進自己的CPU中提升整體性能，因為隨著摩爾定律達到局限繼續(xù)通過提升工藝和主頻來提升性能越來越難，Intel恐難成為美光的助力；唯有SK海力士可以同時在存儲和SSD閃存芯片方面挑戰(zhàn)三星，但有點獨木難支。

在這樣的情況下三星迅猛提升明年的資本支出是擔(dān)心誰的影響呢？筆者認為是中國的存儲芯片企業(yè)，即是當(dāng)下正努力建設(shè)廠房的長江存儲、合肥長鑫、福建晉華。

三星的擔(dān)憂

長江存儲開發(fā)的是SSD閃存，目前已研發(fā)出32層3DNAND技術(shù)，預(yù)計到明年或2019年研發(fā)出64層3DNAND閃存技術(shù)，憑借著巨額資金的支持從中國臺灣、日本甚至韓國等地挖來大量人才，這是它的3DNAND技術(shù)研發(fā)進展迅速的主要原因；合肥長鑫建設(shè)的是DRAM內(nèi)存項目，它從已倒閉的爾必達獲得了部分人才，也從中國臺灣獵挖了部分DRAM技術(shù)研發(fā)人才；福建晉華則通過與中國臺灣第二大代工企業(yè)聯(lián)電合作研發(fā)DRAM內(nèi)存技術(shù)。

長江存儲、合肥長鑫、福建晉華均預(yù)計到2019年開始投產(chǎn)它們的存儲芯片，即使初期在技術(shù)方面不如三星，但是由于國內(nèi)市場龐大的需求，高中低端產(chǎn)業(yè)齊全對中低端的存儲芯片有巨大的需求，這將讓三大國產(chǎn)存儲芯片贏得生存發(fā)展的空間，正如中國大陸的其他產(chǎn)業(yè)一樣，很可能它們將成為韓國、日本、美國這三大存儲芯片生產(chǎn)國之外又一個重要的勢力。

三星在此刻計劃大舉擴產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)能，再加上中國三大存儲芯片企業(yè)的投產(chǎn)，2019年開始或許全球存儲芯片行業(yè)將因為產(chǎn)能過剩而進入低潮，當(dāng)下全球持續(xù)暴漲的存儲芯片價格到時候應(yīng)會出現(xiàn)暴跌的局面，而三星可以憑借自己巨大的規(guī)模攤低成本，在低潮期也依然有利潤。

對于中國大陸來說，筆者相信即使到時候存儲芯片行業(yè)進入低潮，也會繼續(xù)支持這三大存儲芯片企業(yè)的發(fā)展，因為這關(guān)系到信息安全，信息安全顯然比技術(shù)先進性更重要，這也是國產(chǎn)存儲芯片賴以生存發(fā)展的機會。

中國的崛起

存儲器主要分為DRAM和FLASH，在2016年，市場容量DARM為大約414億美元， NAND FLASH 大約為346億美元，還有個市場份額比較小的Nor Flash市場，2016年市場空間大約33億美元左右。

2017年，DRAM市場將達到720億美元的規(guī)模，DRAM預(yù)計將成為2017年半導(dǎo)體行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類別，超出NAND閃存市場(498億美元)222億美元。

我國目前只有在Nor Flash這個小市場有存在感，NOR Flash即代碼型閃存芯片，主要用來存儲代碼及部分數(shù)據(jù)。廣泛應(yīng)用于PC主板、安防監(jiān)控產(chǎn)品、智能家電產(chǎn)品、汽車等。

根據(jù)Trend force 2017年6月的數(shù)據(jù)，2016年全球市場份額，美國Cypress第一 25%, 臺灣旺宏第二24%，美國美光第三18%，臺灣華邦第四17%。

在四強之外，就是我國的兆易創(chuàng)新了，市場份額7%, 這可以說是我們唯一一家自主的存儲器廠商。

當(dāng)然這個7%只是去年的平均值，實際上由于兆易創(chuàng)新增速很快，去年第四季度的份額已經(jīng)超過7%了，而且今年以來Cypress和美光在中低端領(lǐng)域的不斷退出，現(xiàn)在兆易創(chuàng)新的全球市場份額已經(jīng)超過10%了。

兆易創(chuàng)新的技術(shù)水平如何呢，最高端NOR Flash產(chǎn)品多由美光、Cypress供應(yīng)，供應(yīng)容量為64Mb、128Mb，華邦、旺宏則以NOR Flash中端產(chǎn)品供應(yīng)為主，多供應(yīng)16Mb、32Mb、64Mb產(chǎn)品，而兆易創(chuàng)新提供的多為低端產(chǎn)品，32Mb或者16Mb以下居多。事實上，兆易創(chuàng)新已經(jīng)可以提供從512Kb至512Mb的系列產(chǎn)品，涵蓋了NORFlash的大部分容量類型，但是這和量產(chǎn)到達高良率還是有差距。

目前兆易創(chuàng)新的NOR Flash工藝現(xiàn)已由0.13μm升級至65nm實現(xiàn)量產(chǎn)，更先進的45nm 產(chǎn)品預(yù)計2019年才能實現(xiàn)量產(chǎn)。而nor flash并不需要先進的制程，中芯國際完全就可以搞定。

事實上，兆易創(chuàng)新主要就是讓中芯國際提供代工制造服務(wù)，目前60%左右的產(chǎn)品都是在中芯國際生產(chǎn)的，另外還有些是在長江存儲旗下的武漢新芯公司生產(chǎn)。

兆易創(chuàng)新今年也大幅度的賺錢了，在NOR Flash產(chǎn)品上，為維持產(chǎn)品高毛利、開拓更廣闊的市場，賽普拉斯(Cypress)、美光科技、三星電子等全球閃存芯片巨頭已將產(chǎn)品重點轉(zhuǎn)入市場容量更大的NANDFlash和DRAM芯片領(lǐng)域，尤其美光釋放信息希望出售NOR Flash業(yè)務(wù)。隨著全球閃存芯片巨頭逐步淡出NORFlash芯片市場，給兆易創(chuàng)新帶來了非常大的機遇。

除了Nor Flash以外，兆易創(chuàng)新還做低容量尤其是SLC（single level cell）的NAND FLASH產(chǎn)品，SLC可以理解成一個存儲單元只能存儲一位數(shù)據(jù)，也就是0或者1，產(chǎn)品容量從1Gb至8Gb，這些小容量產(chǎn)品整體市場規(guī)模較小，并不能發(fā)揮國際主要大廠工藝節(jié)點先進的特長，適合兆易創(chuàng)新的發(fā)揮。換句話說就是別人看不上的小市場。

目前主要國際大廠三星，東芝，海力士等都是做MLC(Multilevel cell)和TLC(trinarylevel cell)比較多，分別是一個存儲單元可以存放兩位數(shù)據(jù)和三位數(shù)據(jù)，例如我們手機里面的32GB,64GB，128GB, 256GB等等，基本是MLC或者TLC。這樣的好處是成本低，同樣一個存儲單元可以存放更多數(shù)據(jù)，體現(xiàn)就是更大的GB容量。

目前兆易創(chuàng)新NAND Flash實現(xiàn)38nm工藝技術(shù)產(chǎn)品成功量產(chǎn)，24nm產(chǎn)品研發(fā)驗證進度穩(wěn)步進行，加快產(chǎn)品量產(chǎn)并推出更大到32Gb的產(chǎn)品。這個和國際主流的差距是巨大的，三星，海力士等早已進步到14nm。

除了隨著制程工藝的不斷推進，在平面上總會遭遇極限，由于閃存本身的物理特性，當(dāng)工藝逐漸提高后，物理性能提升并非線性，因為每個存儲單元存儲的數(shù)據(jù)電荷會互相干擾。

因此還要朝堆疊的方向發(fā)展，這樣對制程工藝的要求反而沒有那么高。

兆易創(chuàng)新也需要開發(fā)類似于三星的32層，64層堆棧3D NAND FLASH，才能滿足高容量和先進制程的要求，不過短期內(nèi)不要指望兆易創(chuàng)新能做出來，因為連2DNAND flash的24nm制程都還沒有量產(chǎn)。國際大廠都是因為2D的制程做到了16nm，14nm，甚至10nm，逐漸遭遇了極限，才轉(zhuǎn)向3D尋求更高性能和容量。

另外兆易創(chuàng)新還做MCU產(chǎn)品，目前海外大廠瑞薩、NXP、TI、ST等廠商占據(jù)主導(dǎo)地位，但公司在部分細分領(lǐng)域已經(jīng)取得不錯的進展，兆易創(chuàng)新的 MCU產(chǎn)品，主要應(yīng)用是在物聯(lián)網(wǎng)和車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。

實際上，我們看去年兆易創(chuàng)新上市時候的資金籌集，Norflash研發(fā)和產(chǎn)品改造1.6億元，NAND FLASH研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化投入2億元，MCU產(chǎn)品研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化投入1.2億元，另外3280萬元建立研發(fā)中心。這家公司是典型的技術(shù)型公司。

2017年前三季度，兆易創(chuàng)新公司實現(xiàn)營業(yè)收入15.17億元，同比增長44.69%；歸屬于上市公司股東的凈利潤3.39億元，同比增長134.74%。

預(yù)計今年能夠首次突破20億人民幣，但是仍然是一家只有3億美元的小公司。

在存儲器領(lǐng)域，除了已經(jīng)有了多年自主化經(jīng)驗的兆易創(chuàng)新以外，就屬國家隊長江存儲公司了。

說長江存儲，還得從武漢新芯說起。

武漢新芯是武漢的集成電路制造企業(yè)，成立于2006年，這家企業(yè)成立還是政府背景，是湖北省和武漢市下決心進軍集成電路制造領(lǐng)域的產(chǎn)物，但是湖北省和武漢市政府并沒有管理集成電路制造工廠的經(jīng)驗和技術(shù)，所以最開始采取的對策是交給中芯國際來管理，但是中芯國際在當(dāng)時，本身也處在艱難發(fā)展之中，尤其是技術(shù)上被臺積電訴訟侵權(quán)，實際上無暇顧及武漢新芯的發(fā)展。

武漢新芯成立之初本來是想做DRAM，沒錯，中國早在11年前就開始試圖進軍DRAM領(lǐng)域了，但是成立之初就遇到了DRAM的價格低谷周期，不得不放棄DRAM的生產(chǎn)，民族工業(yè)的發(fā)展總是會遇到困難。

實際上，從目前三星和海力士的瘋狂投產(chǎn)來看，他們正在制造又一個存儲器價格周期來制衡中國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

武漢新芯2013年之后導(dǎo)入了兆易創(chuàng)新的NOR FLASH業(yè)務(wù)，為兆易創(chuàng)新提供制造服務(wù)，兩家國產(chǎn)設(shè)計和制造公司終于聯(lián)合起來了。

事實上，今年以來兆易創(chuàng)新的業(yè)績飆升，也帶動了武漢新芯的收入上漲，遺憾的是由于2017年上游的12英寸硅片被日本公司卡脖子，導(dǎo)致武漢新芯拿不到硅片產(chǎn)能，所以找中芯國際簽協(xié)議買硅片。

武漢新芯的命運轉(zhuǎn)機還是來自于2014年11月成立的國家集成電路大基金，這個基金推動中國先進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2016年3月武漢新芯宣布，將投資240億美元在武漢打造一個世界級的半導(dǎo)體存儲企業(yè)，集中精力研究生產(chǎn)NANDFLASH和DRAM。

分三個階段部署，第一家工廠專注NAND閃存生產(chǎn)，第二家工廠專注DRAM芯片生產(chǎn)，第三個階段的設(shè)施將專為供應(yīng)商服務(wù)。

請注意，第一家工廠是做NAND FLASH的，也就是長江存儲是優(yōu)先量產(chǎn)NAND FLASH產(chǎn)品。

由于一直和飛索半導(dǎo)體（Spansion）合作制造NAND FLASH產(chǎn)品，所以武漢新芯還是選擇和Spansion合作研發(fā)新一代的32層3D NAND FLASH。

240億美元，武漢新芯哪里來這么多錢呢？背后是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、國開發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團有限公司共同出資作為股東。

四個月之后的2016年7月，在國家大基金的推動下，紫光集團參與進來，共同在武漢新芯公司的基礎(chǔ)上成立了長江存儲公司，武漢新芯成為長江存儲的全資子公司，長江存儲由紫光集團控股子公司紫光國芯，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)和湖北省科技投資集團有限公司共同出資。其中紫光國芯出資197億元人民幣，占51.04%，從而對長江存儲形成控股。

2017年1月，紫光集團進一步宣布投資300億美元(約2000億人民幣)，在江蘇南京投資建設(shè)半導(dǎo)體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產(chǎn)能10萬片，主要生產(chǎn)3D NAND FLASH(閃存)、DRAM存儲芯片。

武漢工廠240億美元+南京工廠300億美元，光是長江存儲項目，中國就砸了540億美元，那么長江存儲的前景如何？

首先武漢新芯公司之前一直在為美國飛索半導(dǎo)體生產(chǎn)NANDFLASH，同時目前也是兆易創(chuàng)新Nor Flash產(chǎn)品的供應(yīng)商，因此是有制造經(jīng)驗的。

長江存儲面臨的是和中芯國際一樣的問題，就是先進技術(shù)決定著未來。

長江存儲自身的技術(shù)實力肯定是不足的，為了獲取技術(shù)，長江存儲的前身武漢新芯就是在和飛索半導(dǎo)體進行聯(lián)合研發(fā)NANDFLASH，要知道飛索半導(dǎo)體現(xiàn)在已經(jīng)被美國Cypress公司收購，這是全球NOR FLASH領(lǐng)域的領(lǐng)頭公司。

但是不管是飛索半導(dǎo)體，還是Cypress，都不是NAND FLASH領(lǐng)域的先進廠家，這個市場是被三星，海力士，美光，東芝四巨頭把持的。

所以飛索半導(dǎo)體自身的NAND FLASH技術(shù)實力，也是無法和國際四大廠相比的。

長江存儲也深知飛索半導(dǎo)體的技術(shù)實力也是不夠的，為了推動技術(shù)研發(fā)的進步，長江存儲除了和飛索半導(dǎo)體合作，主要是找來了國家隊的中科院微電子研究所搞共同研發(fā)。

2017年2月，中科院微電子所的網(wǎng)頁上發(fā)布了這樣一條消息，國產(chǎn)32層3D NAND FLASH芯片取得突破性進展，通過電學(xué)特性等各項測試。

新聞中明確的提到“該款存儲器芯片由長江存儲與微電子所三維存儲器研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)，在微電子所三維存儲器研發(fā)中心主任、長江存儲NAND技術(shù)研發(fā)部項目資深技術(shù)總監(jiān)霍宗亮的帶領(lǐng)下，成功實現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計的整套技術(shù)驗證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出具有標志性意義的關(guān)鍵一步”。

目前長江存儲的重心放在3D NAND flash的開發(fā)上面，同時也在推進20/18nm的DRAM開發(fā)。NAND Flash肯定是長江存儲最先量產(chǎn)的產(chǎn)品，因為傳統(tǒng)2D轉(zhuǎn)3D NAND技術(shù)后，半導(dǎo)體機臺設(shè)備幾乎都要換新，所以這時候投入是對的，每一個存儲器陣營都站在同一個出發(fā)點。

而DRAM技術(shù)，每轉(zhuǎn)進新一代制程技術(shù)僅增加20%的半導(dǎo)體機臺設(shè)備，意思是，既存的半導(dǎo)體大廠的多數(shù)機臺設(shè)備都已經(jīng)折舊光了，新加入DRAM技術(shù)的人去買新設(shè)備來生產(chǎn)，成本非常貴，競爭力會很差。

20/18nm工藝的DRAM——如果是真的，那么這個技術(shù)水平確實很先進了，雖然三星2015年前就量產(chǎn)20nm工藝了，不過美光、SK Hynix公司都在2017年才會完成制程轉(zhuǎn)換到20nm，而18nm目前就只有三星一家大規(guī)模量產(chǎn)，其他兩家還在準備中。

按照長江存儲的說法，DRAM進度慢于NAND FLASH，那么DRAM量產(chǎn)最快也就是在2020年，差距還是有三年。

長江存儲現(xiàn)在的進度，根據(jù)長江存儲 CEO 楊士寧介紹，2017年底將提供32層樣片，繼續(xù)向64 層 3D NAND 發(fā)展，樂觀估計2019年量產(chǎn)64層技術(shù)。

目前韓國三星已經(jīng)在2017年量產(chǎn)64層 NAND，可以看出中國和韓國的技術(shù)差距在2年，2年看似很短，其實在競爭激烈瞬息萬變的市場，已經(jīng)是極大的差距了?？鬼n將是長期的進程。

2017-12-12  來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察 

文章關(guān)鍵詞： 韋爾股份  香港華清電子(集團)有限公司  三星