早前，知名博主“飯桶戴老板”寫了一篇名為《內(nèi)存的戰(zhàn)爭》的文章，刷遍了作者的朋友圈。在文中他提到：三星充分利用了存儲器行業(yè)的強周期特點，依靠政府的輸血，在價格下跌、生產(chǎn)過剩、其他企業(yè)削減投資的時候，逆勢瘋狂擴產(chǎn)，通過大規(guī)模生產(chǎn)進一步下殺產(chǎn)品價格，從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產(chǎn)，世人稱之為“反周期定律”。在過去的發(fā)展史上，三星一共祭出過三次“反周期定律”，并成就了自己存儲老大的位置。 并在過去的一年里獲得了高額的回報。

 

三星股票過去一年的走勢

 

國際知名分析機構(gòu)摩根斯坦利（簡稱大摩）日前的一份報告中也表示，隨著“存儲周期”即將達到頂峰，三星的股票從2016年1月以來，已經(jīng)大漲了120%，三星公司的營收也在過去的一年多內(nèi)節(jié)節(jié)攀升。早前他們甚至將穩(wěn)居半導體龍頭位置20多年的Intel拉下馬，成為半導體行業(yè)的霸主。

 

隨著缺貨和漲價的加劇，很多分析師認為三星的營收將會在未來繼續(xù)攀升，不過在摩根斯坦利看來，存儲周期的頂峰即將結(jié)束，到2018年，存儲行業(yè)將會遇冷。 他們表示，在2017年第四季度，市場已經(jīng)看到了NAND Flash價格開始翻轉(zhuǎn)的趨勢，至于DRAM的需求方面，也會在2018年Q1時候減弱。到了2019或者2020年，存儲的供應(yīng)量將會大幅增加，屆時市場上將會出現(xiàn)供應(yīng)過剩的風險，價格也就會隨之下跌。對中國正在打造的存儲供應(yīng)商來說，這也許是一個技術(shù)以外的大挑戰(zhàn)。

存儲價格往下走幾成定局

 

摩根斯坦利的報告表示，有跡象表明，移動存儲和入門級SSD的價格從今年四季度開始，已經(jīng)有了回落的趨勢，在于存儲產(chǎn)業(yè)鏈的人交流之后，他們認為NADN Flash面臨的降價幅度將會大大超過市場的預期。

 

在他們看來，NAND Flash的價格在2017年Q4就開始進入了動蕩期。這是由高價格引發(fā)的連鎖反應(yīng)。NAND的供應(yīng)逐漸也開始超過了需求。這主要是因為之前由平面轉(zhuǎn)向3D引致產(chǎn)能不足的問題已經(jīng)有了初步緩解而導致的結(jié)果。他們認為到2018年Q1，NAND的平均價格將會同比下降19%。大摩認為NAND Flash的供過于求，將快速破壞現(xiàn)在的供需平衡，到下半年，屆時價格或許比現(xiàn)在低30%。這是他們基于一個模型預估出來的。

 

三星不同工廠的NAND差能

 

大摩也表示，到2018年，三星NAND FLASH的出貨量將會在同比增長36%，他們預測，三星2017年的增長主要是由平澤工廠的50K 3D NAND貢獻，到2018年Q4，這個數(shù)字將會達到100K。但是總體數(shù)量的增加應(yīng)該還是個位數(shù)，根據(jù)大摩預測，到2018年，三星3D NAND的產(chǎn)量將會達到320K/月，同比增長了18%。

 

三星NAND的市場份額

 

對于DRAM，大摩還是比較積極。在他們看來，在未來的8到10個月內(nèi)，DRAM的價格將會保持比較健康的水平，這一方面是由于中國的手機制造商推動將6GB DRAM引入到中低端手機，這將加大DRAM的需求，能夠保證DRAM的健康。在大摩看來，存儲在數(shù)據(jù)中心的穩(wěn)定增長是會持續(xù)。

 

大摩認為三星DRAM的平均價格明年一季度將同比增長2%，而整個2018年的增長則會同比增長4%。在此期間，服務(wù)器的需求會保持強勁，不過移動設(shè)備和PC的價格則將會下滑，但是我們對DRAM 在2018的價格走勢仍然表示樂觀。

 

大摩認為，三星DRAM出貨量在2018年的增長將同比提升18%，超過14%的預期。粗略估計，三星平澤工廠現(xiàn)在DRAM產(chǎn)能為20K每個月，到2018年，這個數(shù)字將會達到60K，通過擴充產(chǎn)能的方式，明年三星將會進一步鞏固其DRAM的市場份額。

 

據(jù)大摩預測，三星Line 11的30K DRAM產(chǎn)能將會轉(zhuǎn)變成10K CMOS。Line 16的平面NAND轉(zhuǎn)化為3D NAND，屆時將會引起產(chǎn)能驟減。三星方面也表示，將會把60K到70K的產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D NAND。然后將剩下的平面NAND 產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為30K DRAM。

 

從設(shè)備投資上看，三星平澤廠的2F West工廠的設(shè)備將會進場，那就意味著2018年，三星方面消耗的晶圓將會多50Kwpm。DRAM設(shè)備供應(yīng)商東電最近的聲明中也表示，他們將2017年的DRAM方面營收預期從之前的10%改為50%。而大摩也透露，他們與三星的人交流之后獲知，他們平澤工廠的DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移已經(jīng)基本完成，產(chǎn)能也基本上了正軌?，F(xiàn)在，三星平澤廠的潔凈室已經(jīng)建好，到2018年早些時候，他們可以有計劃地引入DRAM設(shè)備，這就會帶來更多的wafer擴產(chǎn)，這就意味著到2018年下半年，DRAM的價格可見下調(diào)。新增長的wafer產(chǎn)能至少能滿足他們明年的20%的增長目標。

 

預測2018年三星DRAM的營收將會增加24%，達到W45.7tr，占了整體銷售的16%。運營利潤將會較之上年增長60%，

 

三星DRAM的全球占有率

 

三星Fab的DRAM產(chǎn)量

客戶庫存達到了之前存儲周期的最高點

 

在存儲供應(yīng)開始出現(xiàn)緊張的時候，客戶們一般都會做存貨緩沖，以免在缺貨嚴重的時候手足無措。但這往往會導致過度供應(yīng)和價格驟減。

 

在對Apple, Cisco, Dell/EMC, Hon Hai, Inspur, HP, Hewlett Packard Enterprise,Lenovo, Quanta和Wistron這幾家主要的OEM廠商進行調(diào)研會后，我們發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)在的庫存水平回到了2015年一季度的峰值。

 

2015年Q1的OEM庫存率

 

大摩表示，三星將會是存儲周期性衰落的最先受害者。

 

從大摩的報告中我們可以看到，存儲占了三星運營利潤的60%，考慮到存儲的周期性衰落，他們認為三星將會迎來衰退的風險。根據(jù)過往的研究顯示，三星的股價波動與存儲的價格走勢密切相關(guān)。

 

三星的股價與DRAM的價格走勢密切相關(guān)

 

三星的股價與NAND Flash的價格密切相關(guān)

 

不過摩根斯坦利也強調(diào)，三星在來年會有23%的年增長率，這看起來雖然不錯，但與2017年的95%相比，則有了明顯的回落。他們也表示，對三星的看衰，跟三星本身的企業(yè)模式?jīng)]有太大的關(guān)系。日益衰退的PC產(chǎn)業(yè)也給三星的未來蒙上一層陰影。不過根據(jù)以往的經(jīng)驗，最后的結(jié)果或未可知。

中國正在崛起的存儲或面臨激烈競爭

 

從戴老板的文章中我們可以看到，美國、日本和臺灣幾乎都成為了三星存儲發(fā)展路上的墊腳石。而從上面大摩報告顯示，三星從過去的一年多的存儲大漲中掙到了個盤滿缽滿。而現(xiàn)在，制程轉(zhuǎn)移已經(jīng)完成，價格開始下跌，但正是在這個時刻，中國一眾新建存儲廠商的產(chǎn)品或許在未來幾年開始陸續(xù)有面世。從這個方面綜合看來，三星存儲的價格走勢，會是中國存儲崛起的一個大挑戰(zhàn)。

 

首先拿 NAND Flash來說。

 

紫光集團旗下的長江存儲正在大力投入3D NAND Flash的研發(fā)中去。長江存儲的高啟全今年4月接受Digitimes采訪的時候表示，他們在武漢已齊聚500名研發(fā)人員投入3D NAND的研發(fā)，今年年底提則會提供32層3D NAND的樣本，這將會是長江存儲技術(shù)自主的一個里程碑。之后會從事64層技術(shù)，待該技術(shù)成熟后，長江存儲才會投入3D NAND量產(chǎn)。

 

高啟全表示，屆時與三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等國際大廠的技術(shù)差距會縮短至一代左右。

 

在11月19日，紫光集團董事長趙偉國接受央視《對話》采訪中說到，長江存儲聚合1000人，研發(fā)了2年，并投入了十億美元，終于研發(fā)出了32層的64G存儲芯片。而在問到與國際差距的時候，趙偉國回應(yīng)：“如果說第一名是奔馳寶馬的話，排第二的大概是奧迪，我想到2019年我們就達到帕薩特的水平，它跟奔馳寶馬還是差一些，但是基本上都有了，相當于在市場上有一席之地了。”對于長江存儲來說，如果在這個緊要的關(guān)頭，面臨三星等國際大廠的低價沖擊，市場方面的優(yōu)勢是非常小的。

 

也許會有人問，為什么不會推動國內(nèi)企業(yè)支持國產(chǎn)芯片。

 

舉個例子：假設(shè)兩個產(chǎn)品一高一低，如果低那個質(zhì)量不會差太遠，你也許會為了成本而去嘗試；如果你兩個東西價格一樣。在完全競爭的市場環(huán)境下，一個已經(jīng)經(jīng)過多年驗證的成熟產(chǎn)品和一個新產(chǎn)品，你會選擇哪個？答案是不言而喻的。因此編者認為三星在大掙特掙一年之后，再將其產(chǎn)能拉上去，或多或少是在阻止中國存儲的崛起。

 

來到DRAM方面，一樣的道理。不過由于DRAM的開發(fā)技術(shù)難道較之NAND Flash會更高，國內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展就會相對落后很多，而三星的DRAM價格同事卻沒有跌得那么快。綜合三星這兩個存儲主力產(chǎn)品的發(fā)展走勢，對國內(nèi)的存儲產(chǎn)業(yè)來說，剛出生就要面臨巨大的壓力，挑戰(zhàn)可想而知。

 

但是，存儲作為一個重要的半導體器件，占了集成電路產(chǎn)值的三分之一，對于擁有眾多OEM廠商的中國廠商來說，非常重要。如何推動自主可控產(chǎn)品的發(fā)展，就成為當代中國集成電路工作者關(guān)注的重點。當然，發(fā)展的過程中根本不可能期望競爭對手對自己仁慈，如何找準自己的發(fā)展道理，推動自己的發(fā)展，才是成功的關(guān)鍵。

2017-12-20  來源：半導體行業(yè)觀察 

文章關(guān)鍵詞： 韋爾股份  香港華清電子(集團)有限公司  三星存儲