韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院發(fā)布消息稱，該院聯(lián)合延世大學(xué)利用二維二硒化鎢納米單芯片和一維氧化鋅氧化物半導(dǎo)體納米線的混合維空間雙層結(jié)構(gòu)，開發(fā)了可以感知從紫外線到近紅外線光的光電二極管器件。該研究結(jié)果發(fā)表在國(guó)際學(xué)術(shù)雜志《先進(jìn)功能材料》（Advanced Functional Materials）上。

低維空間納米半導(dǎo)體元件在下一代半導(dǎo)體中有廣泛應(yīng)用前景，是研發(fā)重點(diǎn)領(lǐng)域。研究組使用的二維元件具有光回應(yīng)性能強(qiáng)、洞遷移率高的特性，是P型半導(dǎo)體元件。一維氧化鋅納米線是目前最好的一維納米半導(dǎo)體之一，具有電子遷移率高的特性，有望應(yīng)用于高性能電子元件N型半導(dǎo)體元件。將一維二維混合后形成了混合維空間雙層結(jié)構(gòu)（PN型），研制出光電二極管元件。

研究組表示，該研究成功實(shí)現(xiàn)了二維圖像，今后有望廣泛應(yīng)用于新一代圖像傳感器元件。

2017-01-09  來源：中華人民共和國(guó)科學(xué)技術(shù)部 

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