韓國研發(fā)出新型半導(dǎo)體材料
韓國科學(xué)技術(shù)研究院發(fā)布消息稱,該院光電材料研究小組將鎢硒2維納米膜與1維氧化鋅納米線雙重結(jié)合,研發(fā)出能感知從紫外線到近紅外線的下一代光二極管元件。該研究成果在國際學(xué)術(shù)期刊《Advanced Functional Materials》(IF)上刊登。
光二極管元件是影響手機攝像頭、數(shù)碼相機像素的重要部分,在攝像頭中使用的圖像傳感器可通過光二極管元件感知光線后轉(zhuǎn)換成電子信號,然后通過芯片對信號進(jìn)行處理。低維納米半導(dǎo)體材料是未來半導(dǎo)體材料的主要發(fā)展方向。
此次研究組使用的鎢硒2維納米膜屬于硫?qū)僭氐囊环N,是可以在柔軟顯示屏、傳感器、柔軟電子元件使用的2維壓層結(jié)晶納米P型半導(dǎo)體材料,具有持久耐用、準(zhǔn)確性高的特點。而1維氧化鋅(ZnO)納米線,是一款可應(yīng)用于高性能電子芯片的n型半導(dǎo)體材料,具有極佳的電子移動特性。研究組運用化學(xué)氣象沉積方法將合成的1維氧化鋅納米線與2維納米膜混合形成(PN)型光二極管元件,將其運用到圖像傳感器像素中。
研究組負(fù)責(zé)人表示,此次研發(fā)的新型元件,將進(jìn)一步推動以納米半導(dǎo)體像素為基礎(chǔ)的下一代圖像傳感器元件的商業(yè)化進(jìn)程。
2017-01-22 來源:中華人民共和國科學(xué)技術(shù)部