20世紀80、90年代，日本工業(yè)實力達到巔峰，半導體、液晶顯示器、高端機械設備、先進材料工業(yè)等等，獨步全球。

可惜的是，到1990年初，日經(jīng)指數(shù)由38915點的歷史最高點向下崩跌，短短2年半間跌至15910點。股市的下跌，戳破日本的泡沫經(jīng)濟，日本半導體產(chǎn)業(yè)領先全球的優(yōu)勢也逐步腐蝕。

短短10年走向衰敗

1990年全球10大半導體公司中有6家為日本公司，NEC、東芝及日立高居前3大半導體公司，英特爾僅居全球第4，而韓國三星電子尚未能進入前10大排行榜。

1995年，日本公司只有4家進入前10大半導體公司排行榜，英特爾躍升為全球半導體公司龍頭，NEC、東芝及日立退居2、3、4名，三星電子及現(xiàn)代電子也擠進前10大。

2000年，僅有NEC、東芝及日立進入10大，三星電子以些微差距，落在東芝及NEC之後，居全球第4大半導體公司，英特爾仍居全球第1，日本半導體產(chǎn)業(yè)在此時已走下坡。

以往日本傲視全球的記憶體產(chǎn)業(yè)，也在韓國公司凌厲攻勢下，逐步失去競爭力。為提升競爭力，2000年NEC、日立的DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取記憶體）部門合并，成立爾必達，2003年爾必達合并三菱電機的記憶體部門。

DRAM產(chǎn)業(yè)慘遭淘汰

可惜的是，雖然集3家日本公司存儲器部門的爾必達，仍無法在競爭激烈產(chǎn)業(yè)中勝出，2012年宣告破產(chǎn)，2013年被美光購并，日本在DRAM產(chǎn)業(yè)中慘遭淘汰。

日本不僅在DRAM產(chǎn)業(yè)中遭遇困難，在邏輯半導體中也同樣面臨激烈地競爭，2003年日立及三菱半導體事業(yè)部門合并成立瑞薩科技（Renesas），當年瑞薩營業(yè)額高居全球半導體公司第3名。

可惜的是，合并帶來的不是成長而是每下愈況，2010年瑞薩與NEC電子合并成立瑞薩電子，仍無法有杰出表現(xiàn)，2015年營業(yè)額名列全球15名。

2015年名列全球前10大半導體公司的日本公司，只有東芝1家。東芝的主要產(chǎn)品為NAND Flash，目前在NAND市占率為全球第2，僅次于三星電子。

日商僅剩索尼CIS強 

除東芝的NAND Flash外，索尼（Sony）的CMOS Image Sensor（CIS影像感測器），是日本能在全球市場具競爭力的半導體產(chǎn)品。索尼的CIS以約30%的市占率，高居全球第1，在高端市場中，幾乎全部是索尼的天下。

從獨步全球到光輝不再，日本在失落的1/4世紀中，雖力圖振作，但仍無法跟上快速變化。

 

 

半導體為韓國代表性的出口項目，出口金額占韓國整體出口金額的10%以上，占通訊（ICT）出口金額比重在3成以上，2015年半導體出口金額達629億美元。

 

一．發(fā)展路徑

韓國半導體產(chǎn)業(yè)從引進技術、進行生產(chǎn)加工及服務開始，并逐漸走上自主創(chuàng)新并掌握自主知識產(chǎn)權的道路。

 

上世紀80年代，韓國半導體只是站在世界的邊緣，扮演著名不見經(jīng)傳的角色。而這時，對岸相望的日本卻是輝煌無比，占據(jù)這半壁江山。在看到日本通過大力發(fā)展半導體業(yè)，并帶動電器、電子、通信和整個信息業(yè)的成功后，韓國也效仿了起來。

 

政府推動、“財閥”大量資金投入從此給韓國半導體發(fā)展插上了兩個翅膀。

 

上世紀90年代起，現(xiàn)代集團的現(xiàn)代電子、三星集團的三星電子、金星集團的LG電子等韓國廠商，著手興建各自的半導體存儲器生產(chǎn)廠。政府宏觀調控引導資金流向,將95%的資金提供給大企業(yè),使其優(yōu)先發(fā)展并與國外跨國公司抗衡。

 

 

上世紀90年代中期，三星電子與東芝、通用儀器、ISD、三菱、日本電器、富士通等結成戰(zhàn)略聯(lián)盟關系。于此同時，韓國利用存儲方面的技術優(yōu)勢與國外企業(yè)交換非存儲器技術；通過并購有所需技術的國外企業(yè)，壯大自身技術領域。

 

21世紀韓國半導體在世界站穩(wěn)腳跟

2003年，三星超越索尼和松下，成為亞洲最大的信息產(chǎn)業(yè)公司。從2003到2013年，更是韓國半導體迅猛發(fā)展的10年。2003年生產(chǎn)額為139億美元，世界市占率為7.4%，位居世界第四位；2013年的生產(chǎn)額為515億美元，世界市占率為16.2%，超過日本躍居成為世界第二位。

 

內(nèi)存半導體產(chǎn)業(yè)是韓國半導體產(chǎn)業(yè)的支柱，自從2002年高居世界首位(占有率達到32.9%)以來，借助獨特的市場及技術優(yōu)勢，其影響力也不斷擴大。2013年世界市場占有率達到了52.4%，以壓倒性優(yōu)勢在世界內(nèi)存市場稱霸。而2013年至今，韓國在存儲領域也是世界領跑。

 

發(fā)展源動力

1.  政府推動

1975年，成立韓國高級科學技術研究院

     

1976年，成立韓國電子技術研究所，重要工作是進行超大規(guī)模集成電路的研究，負責半導體產(chǎn)業(yè)國家級科研項目的開發(fā)

   

1986年~1993年，政府實施“超大規(guī)模集成電路技術共同開發(fā)計劃”

   

1997年，政府通過“新一代半導體基礎技術開發(fā)項目”

 

下圖為韓國政府促進半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計劃和立法。

 

 

2.  產(chǎn)學研合作

在“超大規(guī)模集成電路技術共同開發(fā)計劃”的推動下，以國家電子研究所為主，三星、現(xiàn)代、LG等大企業(yè)參加組成半導體研究開發(fā)組織。集中人才、資金，進行從1M到64M的DRAM核心基礎技術（又稱：源泉技術）的開發(fā)。

 

3.  企業(yè)從引進到自主研發(fā)

為縮短與先進國的技術差距，企業(yè)積極導入國外技術，比如三星從Micro Technology與Aytrex、現(xiàn)代從德州儀器與Vitelic、LG從Micro Technology與AT&T進行技術的引進。

 

受益于源泉技術，16M以后的DRAM轉為以企業(yè)開發(fā)為主。1992年11月，成功開發(fā)出64M DRAM；1997年末，成功開發(fā)出256M DRAM的基礎技術和1G DRAM的先進基礎技術；2014年4月，開發(fā)出業(yè)內(nèi)最早4G DRAM。

 

韓國半導體的快速發(fā)展堅持的是循序漸進的方式，引進、合作、自主融合。內(nèi)部技術與外部技術的整合，是三星能迅速崛起的一個捷徑選擇。

2018-03-07  來源：EEFOCUS 與非網(wǎng) 

文章關鍵詞： 韋爾半導體股份  香港華清電子(集團)有限公司  索尼CIS