自從英特爾(Intel)宣示將全力進軍晶圓代工領(lǐng)域，成為臺積電的頭號勁敵，原本聲勢減弱的GlobalFoundries(GF)，近期卻靠著在大陸市場另辟FD-SOI戰(zhàn)場，再度吸引業(yè)界目光，隨著三星電子(Samsung Electronics)跟進加入FD-SOI戰(zhàn)局，上海華力微亦評估導入，使得定位在22納米FD-SOI制程的GlobalFoundries頗有殺出重圍的氣勢。

GlobalFoundries在14納米FinFET制程一度放棄自行開發(fā)，選擇與三星授權(quán)合作，然未做出太大的成績，在市場沉寂一陣子之后，GlobalFoundries宣布另辟FD-SOI技術(shù)戰(zhàn)局，并表示在高端制程技術(shù)雖不會參與10納米制程競賽，但會自行研發(fā)7納米技術(shù)，不會缺席半導體主流技術(shù)發(fā)展。

半導體業(yè)者認為，GlobalFoundries在22納米FD-SOI技術(shù)定位不錯，22納米可望是一個分水嶺，對于高效能手機芯片客戶將會往12/14/16納米FinFET制程，或是10/7納米更先進技術(shù)移動，但這個領(lǐng)域恐只有蘋果(Apple)、高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科、海思、NVIDIA等一線客戶玩得起。

對于多數(shù)無法負擔高端制程昂貴成本的IC設(shè)計客戶而言，28納米制程下一步多半會選擇22納米，因此，GlobalFoundries、英特爾、臺積電均投入22納米制程，聯(lián)電亦在評估中，22納米世代雖不如10納米先進高端，但已成為半導體產(chǎn)業(yè)一股不容忽視的力量。

相較之下，英特爾22納米FinFET制程昂貴，臺積電22納米仍是高功耗的平面式(Planar CMOS)制程，由于GlobalFoundries的22納米FD-SOI制程擁有低成本、低功耗、低漏電的優(yōu)勢，雖然是鎖定中、低端市場，但有機會在英特爾和臺積電鷸蚌相爭的局面下，殺出一條不同的道路。

事實上，臺積電22納米是28納米微縮版本，業(yè)界認為其漏電問題可能會比28納米嚴重，雖可透過制程調(diào)整來放慢速度，解決漏電的缺點，但亦會影響到22納米的性能。就手機芯片最在意的漏電問題來看，F(xiàn)D-SOI和FinFET制程的漏電都比較低，在同樣的22納米制程上，平面式制程相對吃虧。

半導體業(yè)者指出，若以性能來看，F(xiàn)inFET制程性能最佳，其次是平面式制程，最后才是FD-SOI制程，因此，F(xiàn)D-SOI較適合用在中、低端產(chǎn)品，以及物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用上，對于包括手機AP、固態(tài)硬碟(SSD)、人工智能(AI)、機器學習等高端應(yīng)用，必須要往更高端10、7納米制程走下去。

GlobalFoundries的22納米制程世代主要鎖定一些物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，該領(lǐng)域不需要昂貴的FinFET制程，采用22納米制程生產(chǎn)相當適合，因為FinFET制程走到10、7納米以下，能負擔昂貴成本的客戶越來越少，原本不被看好的FD-SOI領(lǐng)域，開始吸引一些大陸本土晶圓代工廠評估投入。

由于大陸物聯(lián)網(wǎng)市場夠大，該技術(shù)很適合中、小規(guī)模的IC設(shè)計公司導入，在主流領(lǐng)域沒有被選上的FD-SOI領(lǐng)域，在大陸物聯(lián)網(wǎng)崛起浪潮中，找到另一個適合發(fā)展的空間。至于臺積電、英特爾對決的戰(zhàn)場，仍是高端的FinFET領(lǐng)域，還有三星近期決議分割晶圓代工部門，在7納米制程以下明顯是半導體三強對決局面。

業(yè)界對于半導體7納米制程以下究竟會有多少客戶負擔得起，抱持高度疑問，這也是為什么蘋果處理器訂單讓臺積電、三星搶得面紅耳赤，未來英特爾極有可能加入戰(zhàn)局，若少了蘋果訂單，半導體大廠恐怕有不少產(chǎn)能要閑置。

盡管半導體大廠往下投資高端制程，要煩惱龐大的投資是否能回收，但不做等于是將市場拱手讓給競爭對手，使得半導體大廠被迫硬著頭皮做下去。不過，臺積電、三星、英特爾等半導體大廠每年動輒百億美元的資本戰(zhàn)，并非每家廠商都玩的起，未來應(yīng)會有更多半導體廠投身FD-SOI陣營。

2017-06-13 來源: 電子產(chǎn)品世界